APT65GP60L2DQ2G
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| Teilenummer | APT65GP60L2DQ2G |
| PNEDA Teilenummer | APT65GP60L2DQ2G |
| Beschreibung | IGBT 600V 198A 833W TO264 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.838 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT65GP60L2DQ2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT65GP60L2DQ2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT65GP60L2DQ2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 198A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 250A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 65A |
| Leistung - max | 833W |
| Schaltenergie | 605µJ (on), 895µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 210nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/90ns |
| Testbedingung | 400V, 65A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 64A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 525µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/225ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
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