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APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Nur als Referenz

Teilenummer APT65GP60L2DQ2G
PNEDA Teilenummer APT65GP60L2DQ2G
Beschreibung IGBT 600V 198A 833W TO264
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.838
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT65GP60L2DQ2G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT65GP60L2DQ2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT65GP60L2DQ2G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)198A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 65A
Leistung - max833W
Schaltenergie605µJ (on), 895µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/90ns
Testbedingung400V, 65A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
Lieferantengerätepaket-

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 80A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 1.76mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

345nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/90ns

Testbedingung

300V, 80A, 3.9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

IRG4PC50UD-MP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFRED®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 27A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

270nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/90ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 6A

Leistung - max

28W

Schaltenergie

200µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

42nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9.4ns/130ns

Testbedingung

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

123ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

630A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 110A

Leistung - max

880W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

183nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 55A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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TO-264-3, TO-264AA

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