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APT68GA60B

APT68GA60B

Nur als Referenz

Teilenummer APT68GA60B
PNEDA Teilenummer APT68GA60B
Beschreibung IGBT 600V 121A 520W TO-247
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.922
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 9 - Jul 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT68GA60B Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT68GA60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT68GA60B Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 8™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)121A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)202A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 40A
Leistung - max520W
Schaltenergie715µJ (on), 607µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge298nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/133ns
Testbedingung400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 [B]

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Hersteller

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

147W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

76nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/250ns

Testbedingung

600V, 25A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

9-SMD Module

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS-SMPD™.B

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

1250W

Schaltenergie

1.6mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

750nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/310ns

Testbedingung

300V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 39A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 24A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.21mJ (on), 2.25mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/200ns

Testbedingung

960V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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