APT68GA60LD40
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT68GA60LD40 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT68GA60LD40 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 193 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 16 - Jul 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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APT68GA60LD40 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT68GA60LD40 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT68GA60LD40 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 121A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 202A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 520W |
| Schaltenergie | 715µJ (on), 607µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 198nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 21ns/133ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 22ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 [L] |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 35A Leistung - max 250W Schaltenergie 900µJ (on), 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/270ns Testbedingung 960V, 35A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 110µJ (on), 230µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 98nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/100ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262 |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™, Lightspeed™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 48A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 320µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/135ns Testbedingung 720V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 5A Leistung - max 31.2W Schaltenergie 140µJ (on), 40µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 9.4nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/83ns Testbedingung 400V, 5A, 60Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 98ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
