APT70GR65B2SCD30
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| Teilenummer | APT70GR65B2SCD30 |
| PNEDA Teilenummer | APT70GR65B2SCD30 |
| Beschreibung | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.806 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APT70GR65B2SCD30 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT70GR65B2SCD30 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT70GR65B2SCD30 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | * |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 134A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 260A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 70A |
| Leistung - max | 595W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | - |
| Gate Charge | 305nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 19ns/170ns |
| Testbedingung | 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | T-MAX™ [B2] |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.97V @ 15V, 100A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A Leistung - max 54W Schaltenergie 70µJ (on), 300µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9ns/100ns Testbedingung 480V, 7A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 44A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 24A Leistung - max 200W Schaltenergie 1.35mJ (on), 400µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 40nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/73ns Testbedingung 450V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 340ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 64A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 9A Leistung - max 60W Schaltenergie 250µJ (on), 640µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 43ns/240ns Testbedingung 480V, 9A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 240A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 700A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 120A Leistung - max 1500W Schaltenergie 6.75mJ (on), 5.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 412nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/176ns Testbedingung 600V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXYK) |
