APT80GA60LD40
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| Teilenummer | APT80GA60LD40 |
| PNEDA Teilenummer | APT80GA60LD40 |
| Beschreibung | IGBT 600V 143A 625W TO264 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.570 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT80GA60LD40 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT80GA60LD40 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT80GA60LD40 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 143A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 47A |
| Leistung - max | 625W |
| Schaltenergie | 840µJ (on), 751µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 230nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/158ns |
| Testbedingung | 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 22ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 15A Leistung - max 200W Schaltenergie 3.27mJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 90ns/310ns Testbedingung 600V, 15A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 330ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
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