APTC60BBM24T3G
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| Teilenummer | APTC60BBM24T3G |
| PNEDA Teilenummer | APTC60BBM24T3G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.308 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTC60BBM24T3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTC60BBM24T3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTC60BBM24T3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 95A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 47.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 25V |
| Leistung - max | 462W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Tc), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V, 12nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 395pF @ 15V, 730pF @ 15V Leistung - max 19W (Tc), 30W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Lieferantengerätepaket TO-252-4L |
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