APTC60DDAM45T1G
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| Teilenummer | APTC60DDAM45T1G |
| PNEDA Teilenummer | APTC60DDAM45T1G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.786 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTC60DDAM45T1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTC60DDAM45T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTC60DDAM45T1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | 2 N Channel (Dual Buck Chopper) |
| FET-Funktion | Super Junction |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 49A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 24.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
| Leistung - max | 250W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP1 |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 22µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 25V Leistung - max 54W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-4 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 430mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 16V Leistung - max 250mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 340mA, 235mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 102pF @ 50V Leistung - max 1.6W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A (Ta), 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 13µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V Leistung - max 3W (Ta), 19W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.8A, 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
