APTC60TAM21SCTPAG
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| Teilenummer | APTC60TAM21SCTPAG |
| PNEDA Teilenummer | APTC60TAM21SCTPAG |
| Beschreibung | MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.022 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTC60TAM21SCTPAG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTC60TAM21SCTPAG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTC60TAM21SCTPAG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 116A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 88A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 580nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 100V |
| Leistung - max | 625W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | SP6-P |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
