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APTC90DAM60CT1G

APTC90DAM60CT1G

Nur als Referenz

Teilenummer APTC90DAM60CT1G
PNEDA Teilenummer APTC90DAM60CT1G
Beschreibung MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Hersteller Microsemi
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APTC90DAM60CT1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTC90DAM60CT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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APTC90DAM60CT1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieCoolMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.59A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs540nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds13600pF @ 100V
FET-FunktionSuper Junction
Verlustleistung (max.)462W (Tc)
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
LieferantengerätepaketSP1
Paket / FallSP1

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

390mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

197nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

780W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264AA (IXFK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 25V

FET-Funktion

Depletion Mode

Verlustleistung (max.)

400W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXTH)

Paket / Fall

TO-247-3

DMP2069UFY4-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.1nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

214pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

530mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DFN2015H4-3

Paket / Fall

3-XFDFN

PSMN018-100PSFQ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

53A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1482pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

111W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

2SJ661-DL-1E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4360pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.65W (Ta), 65W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263-2

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

76SB08ST

76SB08ST

Grayhill Inc.

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MAX811SEUS+T

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IC MPU V-MONITOR 2.93V SOT143-4

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 64G MMC

PI5USB2544ZHEX

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Diodes Incorporated

IC USB CNTRL DETECT SWTCH 16TQFN

LTM8022EV#PBF

LTM8022EV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-10V 1A

SMF6.0A

SMF6.0A

Littelfuse

TVS DIODE 6V 10.3V SOD123F

3224W-1-202E

3224W-1-202E

Bourns

TRIMMER 2K OHM 0.25W J LEAD TOP

AC0603FR-07100KL

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Yageo

RES SMD 100K OHM 1% 1/10W 0603

PZT3906

PZT3906

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.2A SOT223

ATMEGA2561-16AI

ATMEGA2561-16AI

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 256KB FLASH 64TQFP

SMAJ6.0A

SMAJ6.0A

Bourns

TVS DIODE 6V 10.3V SMA

UPD70F3747GB-GAH-AX

UPD70F3747GB-GAH-AX

Renesas Electronics America

IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64LQFP