APTGF350DA60G
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| Teilenummer | APTGF350DA60G |
| PNEDA Teilenummer | APTGF350DA60G |
| Beschreibung | IGBT 600V 430A 1562W SP6 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.020 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTGF350DA60G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGF350DA60G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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APTGF350DA60G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 430A |
| Leistung - max | 1562W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 360A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 200µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 17.2nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Leistung - max 357W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.34nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 112A Leistung - max 543W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 70A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1.1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.26nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4 Lieferantengerätepaket SOT-227 |
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Hersteller Littelfuse Inc. Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Leistung - max 450W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.1nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall S-3 Module Lieferantengerätepaket S3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1200A Leistung - max 2400W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 160nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -50°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
