APTGLQ50VDA65T3G
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| Teilenummer | APTGLQ50VDA65T3G |
| PNEDA Teilenummer | APTGLQ50VDA65T3G |
| Beschreibung | POWER MODULE - IGBT |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.772 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 9 - Jul 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTGLQ50VDA65T3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGLQ50VDA65T3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGLQ50VDA65T3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Dual Boost Chopper |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
| Leistung - max | 175W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.1nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | SP3F |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 225A Leistung - max 480W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Leistung - max 370W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 4mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Y4-M5 Lieferantengerätepaket Y4-M5 |
Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300A Leistung - max 1100W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 30nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Switch Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1200A Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 1200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 97nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 277W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.6nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
