APTGT50SK170D1G
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| Teilenummer | APTGT50SK170D1G |
| PNEDA Teilenummer | APTGT50SK170D1G |
| Beschreibung | IGBT 1700V 70A 310W D1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.428 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTGT50SK170D1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGT50SK170D1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGT50SK170D1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
| Leistung - max | 310W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 6mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 4.4nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | D1 |
| Lieferantengerätepaket | D1 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Leistung - max 357W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.34nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2300A Leistung - max 14500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.65V @ 15V, 1200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 145nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max 4050W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 37nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 1150W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 15nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 52A Leistung - max 225W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 400µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E2 Lieferantengerätepaket E2 |
