APTM100VDA35T3G
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| Teilenummer | APTM100VDA35T3G |
| PNEDA Teilenummer | APTM100VDA35T3G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.712 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 26 - Jul 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTM100VDA35T3G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTM100VDA35T3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTM100VDA35T3G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 22A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Leistung - max | 390W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 25V Leistung - max 2.75W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-223-8 Lieferantengerätepaket SOT-223 |
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