APTM20AM10STG
Nur als Referenz
| Teilenummer | APTM20AM10STG |
| PNEDA Teilenummer | APTM20AM10STG |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.078 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
APTM20AM10STG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | APTM20AM10STG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- APTM20AM10STG Datasheet
- where to find APTM20AM10STG
- Microsemi
- Microsemi APTM20AM10STG
- APTM20AM10STG PDF Datasheet
- APTM20AM10STG Stock
- APTM20AM10STG Pinout
- Datasheet APTM20AM10STG
- APTM20AM10STG Supplier
- Microsemi Distributor
- APTM20AM10STG Price
- APTM20AM10STG Distributor
APTM20AM10STG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 175A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 87.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 224nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13700pF @ 25V |
| Leistung - max | 694W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP4 |
| Lieferantengerätepaket | SP4 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2110pF @ 10V Leistung - max 3.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 142mOhm @ 2.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 10V Leistung - max 600mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-MicroFET (1.6x1.6) |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 17pF @ 25V Leistung - max 150mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket ES6 (1.6x1.6) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 280mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Leistung - max 250mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563F |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
