APTM20DAM08TG
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| Teilenummer | APTM20DAM08TG |
| PNEDA Teilenummer | APTM20DAM08TG |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 208A SP4 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.114 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM20DAM08TG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTM20DAM08TG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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APTM20DAM08TG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 208A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 104A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 781W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SP4 |
| Paket / Fall | SP4 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall SC-100, SOT-669 |
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