APTM20HM10FG
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| Teilenummer | APTM20HM10FG |
| PNEDA Teilenummer | APTM20HM10FG |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM20HM10FG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTM20HM10FG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTM20HM10FG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 175A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 87.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 224nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13700pF @ 25V |
| Leistung - max | 694W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchPLUS FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 65V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 90.4mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 535pF @ 25V Leistung - max 3.15W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 20-SO |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 562pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
