APTM50HM75FTG
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| Teilenummer | APTM50HM75FTG |
| PNEDA Teilenummer | APTM50HM75FTG |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.338 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM50HM75FTG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTM50HM75FTG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTM50HM75FTG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 46A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 23A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5600pF @ 25V |
| Leistung - max | 357W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP4 |
| Lieferantengerätepaket | SP4 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.7nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 752pF @ 15V Leistung - max 3.57W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
