APTMC120HM17CT3AG
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| Teilenummer | APTMC120HM17CT3AG |
| PNEDA Teilenummer | APTMC120HM17CT3AG |
| Beschreibung | POWER MODULE - SIC MOSFET |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.826 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTMC120HM17CT3AG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTMC120HM17CT3AG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTMC120HM17CT3AG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 4 N-Channel |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 147A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 332nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5576pF @ 1000V |
| Leistung - max | 750W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.8A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 188mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 88pF @ 10V Leistung - max 800mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 6-MCPH |
