Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

AS4C128M16D3-12BCNTR

AS4C128M16D3-12BCNTR

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C128M16D3-12BCNTR
PNEDA Teilenummer AS4C128M16D3-12BCNTR
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.002
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AS4C128M16D3-12BCNTR Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C128M16D3-12BCNTR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C128M16D3-12BCNTR, AS4C128M16D3-12BCNTR Datenblatt (Total Pages: 84, Größe: 2.090,14 KB)
PDFAS4C128M16D3-12BINTR Datenblatt Cover
AS4C128M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 2 AS4C128M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 3 AS4C128M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 4 AS4C128M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 5 AS4C128M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 6 AS4C128M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 7 AS4C128M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 8 AS4C128M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 9 AS4C128M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 10 AS4C128M16D3-12BINTR Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • AS4C128M16D3-12BCNTR Datasheet
  • where to find AS4C128M16D3-12BCNTR
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3-12BCNTR
  • AS4C128M16D3-12BCNTR PDF Datasheet
  • AS4C128M16D3-12BCNTR Stock

  • AS4C128M16D3-12BCNTR Pinout
  • Datasheet AS4C128M16D3-12BCNTR
  • AS4C128M16D3-12BCNTR Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS4C128M16D3-12BCNTR Price
  • AS4C128M16D3-12BCNTR Distributor

AS4C128M16D3-12BCNTR Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße2Gb (128M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-TFBGA
Lieferantengerätepaket96-FBGA (9x13)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

CY7C1145KV18-400BZXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II+

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

MT41J64M16JT-125:G

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-FBGA (8x14)

AT24C512W-10SI-2.7

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

71V65803S133BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-CABGA (13x15)

MT41J256M16LY-091G:N TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-FBGA (7.5x13.5)

Kürzlich verkauft

3296W-1-103LF

3296W-1-103LF

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.5W PC PIN TOP

DS2482S-100+T&R

DS2482S-100+T&R

Maxim Integrated

IC I2C TO 1WIRE BRIDGE 8SOIC

MAX3232CSE+T

MAX3232CSE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

RS1MB-13-F

RS1MB-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

CDRH2D14NP-2R2NC

CDRH2D14NP-2R2NC

Sumida

FIXED IND 2.2UH 1.6A 94 MOHM SMD

NC7WZ07P6X

NC7WZ07P6X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

PCF8575TS/1,112

PCF8575TS/1,112

NXP

IC I/O EXPANDER I2C 16B 24SSOP

ERA-3AEB101V

ERA-3AEB101V

Panasonic Electronic Components

RES SMD 100 OHM 0.1% 1/10W 0603

MCP1826-3302E/ET

MCP1826-3302E/ET

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 1A 5DDPAK

SD101CW-7-F

SD101CW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 15MA SOD123

170M3618

170M3618

Eaton - Bussmann Electrical Division

FUSE SQUARE 350A 700VAC RECT

MTD20P03HDLT4

MTD20P03HDLT4

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 19A DPAK