AS4C128M8D3L-12BINTR
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| Teilenummer | AS4C128M8D3L-12BINTR |
| PNEDA Teilenummer | AS4C128M8D3L-12BINTR |
| Beschreibung | IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.816 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AS4C128M8D3L-12BINTR Ressourcen
| Marke | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AS4C128M8D3L-12BINTR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
AS4C128M8D3L-12BINTR, AS4C128M8D3L-12BINTR Datenblatt
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AS4C128M8D3L-12BINTR Technische Daten
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 800MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 20ns |
| Spannung - Versorgung | 1.283V ~ 1.45V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 78-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 78-FBGA (8x10.5) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EPROM Technologie EPROM - OTP Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 120ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-DIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 28-PDIP |
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