Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

AS4C256M16D3B-12BCN

AS4C256M16D3B-12BCN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C256M16D3B-12BCN
PNEDA Teilenummer AS4C256M16D3B-12BCN
Beschreibung IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 26.034
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AS4C256M16D3B-12BCN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C256M16D3B-12BCN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C256M16D3B-12BCN, AS4C256M16D3B-12BCN Datenblatt (Total Pages: 41, Größe: 1.918,17 KB)
PDFAS4C256M16D3B-12BINTR Datenblatt Cover
AS4C256M16D3B-12BINTR Datenblatt Seite 2 AS4C256M16D3B-12BINTR Datenblatt Seite 3 AS4C256M16D3B-12BINTR Datenblatt Seite 4 AS4C256M16D3B-12BINTR Datenblatt Seite 5 AS4C256M16D3B-12BINTR Datenblatt Seite 6 AS4C256M16D3B-12BINTR Datenblatt Seite 7 AS4C256M16D3B-12BINTR Datenblatt Seite 8 AS4C256M16D3B-12BINTR Datenblatt Seite 9 AS4C256M16D3B-12BINTR Datenblatt Seite 10 AS4C256M16D3B-12BINTR Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • AS4C256M16D3B-12BCN Datasheet
  • where to find AS4C256M16D3B-12BCN
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3B-12BCN
  • AS4C256M16D3B-12BCN PDF Datasheet
  • AS4C256M16D3B-12BCN Stock

  • AS4C256M16D3B-12BCN Pinout
  • Datasheet AS4C256M16D3B-12BCN
  • AS4C256M16D3B-12BCN Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS4C256M16D3B-12BCN Price
  • AS4C256M16D3B-12BCN Distributor

AS4C256M16D3B-12BCN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße4Gb (256M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-TFBGA
Lieferantengerätepaket96-FBGA (13.5x9)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

W632GU8KB15I TR

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-TFBGA

Lieferantengerätepaket

78-WBGA (10.5x8)

IS61DDP2B251236A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR IIP

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-LFBGA (15x17)

AT25M02-SSHD-T

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

5MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

CY15V102QN-50SXE

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, Excelon™-Auto, F-RAM™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

50MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Kürzlich verkauft

L7805ABV

L7805ABV

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 1.5A TO220AB

LPC1768FBD100,551

LPC1768FBD100,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100LQFP

NDS331N

NDS331N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3

MIC5332-SSYMT-TR

MIC5332-SSYMT-TR

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V/3.3V 8TMLF

MCP2515T-I/SO

MCP2515T-I/SO

Microchip Technology

IC CAN CONTROLLER W/SPI 18SOIC

045901.5UR

045901.5UR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 1.5A 125VAC/VDC SMD

M25PX16-VMW6TG TR

M25PX16-VMW6TG TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO

M93C46-WBN6

M93C46-WBN6

STMicroelectronics

IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8DIP

ILBB0805ER110V

ILBB0805ER110V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 11 OHM 0805 1LN

FM25V02A-DG

FM25V02A-DG

Cypress Semiconductor

IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

TAJD227K010RNJ

TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

IRF7470PBF

IRF7470PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC