AS4C256M16D3L-12BCN
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| Teilenummer | AS4C256M16D3L-12BCN |
| PNEDA Teilenummer | AS4C256M16D3L-12BCN |
| Beschreibung | IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.254 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AS4C256M16D3L-12BCN Ressourcen
| Marke | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AS4C256M16D3L-12BCN |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
AS4C256M16D3L-12BCN, AS4C256M16D3L-12BCN Datenblatt
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AS4C256M16D3L-12BCN Technische Daten
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 4Gb (256M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 800MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 20ns |
| Spannung - Versorgung | 1.283V ~ 1.45V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 96-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 96-FBGA (9x13) |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 750ps Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 66-TSOP |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 32-SOJ |
