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AS4C256M32MD2-18BCNTR

AS4C256M32MD2-18BCNTR

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C256M32MD2-18BCNTR
PNEDA Teilenummer AS4C256M32MD2-18BCNTR
Beschreibung IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M32MD2-18BCNTR Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C256M32MD2-18BCNTR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C256M32MD2-18BCNTR, AS4C256M32MD2-18BCNTR Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 3.995,73 KB)
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AS4C256M32MD2-18BCNTR Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße8Gb (256M x 32)
Speicherschnittstelle-
Taktfrequenz533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.2V, 1.8V
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall134-VFBGA
Lieferantengerätepaket134-FBGA (11.5x11.5)

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 2.8ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

350ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Speichertyp

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

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Betriebstemperatur

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