AS4C2M32S-6BIN
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| Teilenummer | AS4C2M32S-6BIN |
| PNEDA Teilenummer | AS4C2M32S-6BIN |
| Beschreibung | IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA |
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.160 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AS4C2M32S-6BIN Ressourcen
| Marke | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AS4C2M32S-6BIN |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
AS4C2M32S-6BIN, AS4C2M32S-6BIN Datenblatt
(Total Pages: 53, Größe: 1.653,36 KB)
  
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AS4C2M32S-6BIN Technische Daten
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM |
| Speichergröße | 64Mb (2M x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 166MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 2ns |
| Zugriffszeit | 5.4ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 90-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 90-TFBGA (8x13) |
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