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AS4C8M16D1-5BCN

AS4C8M16D1-5BCN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C8M16D1-5BCN
PNEDA Teilenummer AS4C8M16D1-5BCN
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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Auf Lager 7.452
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AS4C8M16D1-5BCN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C8M16D1-5BCN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C8M16D1-5BCN, AS4C8M16D1-5BCN Datenblatt (Total Pages: 66, Größe: 4.317,87 KB)
PDFAS4C8M16D1-5BINTR Datenblatt Cover
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AS4C8M16D1-5BCN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR
Speichergröße128Mb (8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit700ps
Spannung - Versorgung2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-TFBGA
Lieferantengerätepaket60-TFBGA (8x13)

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-LFBGA

Lieferantengerätepaket

54-LFBGA (8x13)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-20°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

MT29F1G16ABBEAHC:E

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

63-VFBGA

Lieferantengerätepaket

63-VFBGA (10.5x13)

NM95C12EM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (64 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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