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AS4C8M16S-6BINTR

AS4C8M16S-6BINTR

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C8M16S-6BINTR
PNEDA Teilenummer AS4C8M16S-6BINTR
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16S-6BINTR Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C8M16S-6BINTR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C8M16S-6BINTR, AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt (Total Pages: 55, Größe: 568,13 KB)
PDFAS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Cover
AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 2 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 3 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 4 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 5 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 6 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 7 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 8 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 9 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 10 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 11

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AS4C8M16S-6BINTR Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite2ns
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TFBGA
Lieferantengerätepaket54-TFBGA (8x8)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-VFBGA

Lieferantengerätepaket

54-VFBGA (8x8)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

EDW2032BBBG-6A-F-R TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

SGRAM - GDDR5

Speichergröße

2Gb (64M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.5GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.31V ~ 1.65V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

170-TFBGA

Lieferantengerätepaket

170-FBGA (12x14)

SM662PX8-AC

Silicon Motion, Inc.

Hersteller

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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