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AS4C8M16SA-6TCN

AS4C8M16SA-6TCN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C8M16SA-6TCN
PNEDA Teilenummer AS4C8M16SA-6TCN
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16SA-6TCN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C8M16SA-6TCN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C8M16SA-6TCN, AS4C8M16SA-6TCN Datenblatt (Total Pages: 54, Größe: 1.189,41 KB)
PDFAS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Cover
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AS4C8M16SA-6TCN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Taktfrequenz

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Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (256 x 16)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2µs

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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