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AT24C04Y1-10YI-1.8

AT24C04Y1-10YI-1.8

Nur als Referenz

Teilenummer AT24C04Y1-10YI-1.8
PNEDA Teilenummer AT24C04Y1-10YI-1-8
Beschreibung IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8MAP
Hersteller Microchip Technology
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AT24C04Y1-10YI-1.8 Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT24C04Y1-10YI-1.8
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT24C04Y1-10YI-1.8, AT24C04Y1-10YI-1.8 Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 247,35 KB)
PDFAT24C01AY1-10YU-2.7 Datenblatt Cover
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AT24C04Y1-10YI-1.8 Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße4Kb (512 x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz400kHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit900ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-MAP (3x4.9)

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Gb (256M x 8, 128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

24Gb (192M x 128)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

75MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

87MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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