AT28C256-20FM/883
Nur als Referenz
| Teilenummer | AT28C256-20FM/883 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | AT28C256-20FM-883 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC EEPROM 256K PARALLEL 28FLATPK | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microchip Technology | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 51 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 28 - Jul 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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AT28C256-20FM/883 Ressourcen
| Marke | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AT28C256-20FM/883 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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AT28C256-20FM/883 Technische Daten
| Hersteller | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | EEPROM |
| Technologie | EEPROM |
| Speichergröße | 256Kb (32K x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ms |
| Zugriffszeit | 200ns |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 28-CFlatPack |
| Lieferantengerätepaket | 28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM - FP Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads Lieferantengerätepaket 50/44-TSOP II |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie GL-T Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns Zugriffszeit 120ns Spannung - Versorgung 1.65V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 64-LBGA Lieferantengerätepaket 64-FBGA (9x9) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 72Mb (4M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3ns Spannung - Versorgung 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x20) |
