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AT45DB041D-MU-2.5

AT45DB041D-MU-2.5

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB041D-MU-2.5
PNEDA Teilenummer AT45DB041D-MU-2-5
Beschreibung IC FLASH 4M SPI 50MHZ 8VDFN
Hersteller Adesto Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AT45DB041D-MU-2.5 Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB041D-MU-2.5
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB041D-MU-2.5, AT45DB041D-MU-2.5 Datenblatt (Total Pages: 53, Größe: 1.520,7 KB)
PDFAT45DB041D-SU-SL955 Datenblatt Cover
AT45DB041D-SU-SL955 Datenblatt Seite 2 AT45DB041D-SU-SL955 Datenblatt Seite 3 AT45DB041D-SU-SL955 Datenblatt Seite 4 AT45DB041D-SU-SL955 Datenblatt Seite 5 AT45DB041D-SU-SL955 Datenblatt Seite 6 AT45DB041D-SU-SL955 Datenblatt Seite 7 AT45DB041D-SU-SL955 Datenblatt Seite 8 AT45DB041D-SU-SL955 Datenblatt Seite 9 AT45DB041D-SU-SL955 Datenblatt Seite 10 AT45DB041D-SU-SL955 Datenblatt Seite 11

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AT45DB041D-MU-2.5 Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße4Mb (264 Bytes x 2048 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz50MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite4ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.5V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-VDFN (6x5)

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

7025S15PFI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (8K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

Hersteller

Macronix

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CY14B108L-ZS20XI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

CY7C1350G-133AXIT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

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