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AT45DB081E-UUN-T

AT45DB081E-UUN-T

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB081E-UUN-T
PNEDA Teilenummer AT45DB081E-UUN-T
Beschreibung IC FLASH 8M SPI 85MHZ 8WLCSP
Hersteller Adesto Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AT45DB081E-UUN-T Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB081E-UUN-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB081E-UUN-T, AT45DB081E-UUN-T Datenblatt (Total Pages: 70, Größe: 2.568,76 KB)
PDFAT45DB081E-UUN2B-T Datenblatt Cover
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AT45DB081E-UUN-T Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße8Mb (264 Bytes x 4096 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz85MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8µs, 4ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-UFBGA, WLCSP
Lieferantengerätepaket8-WLCSP

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

125MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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