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AT45DB161E-MHD-T

AT45DB161E-MHD-T

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB161E-MHD-T
PNEDA Teilenummer AT45DB161E-MHD-T
Beschreibung IC FLASH 16M SPI 85MHZ 8UDFN
Hersteller Adesto Technologies
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Auf Lager 16.857
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AT45DB161E-MHD-T Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB161E-MHD-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB161E-MHD-T, AT45DB161E-MHD-T Datenblatt (Total Pages: 74, Größe: 2.532,43 KB)
PDFAT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Cover
AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 2 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 3 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 4 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 5 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 6 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 7 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 8 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 9 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 10 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 11

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AT45DB161E-MHD-T Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz85MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8µs, 4ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.5V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-UDFN (5x6)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

450ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IDT7164L20TPI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

28-PDIP

AT24C32-10PC

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

MT44K32M18RB-125E:A TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (32M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

1.28V ~ 1.42V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

168-TBGA

Lieferantengerätepaket

168-BGA (13.5x13.5)

IS42S16160J-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

54-TFBGA (8x8)

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