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AT45DB161E-UUF2B-T

AT45DB161E-UUF2B-T

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB161E-UUF2B-T
PNEDA Teilenummer AT45DB161E-UUF2B-T
Beschreibung IC FLASH 16M SPI 85MHZ 11WLCSP
Hersteller Adesto Technologies
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AT45DB161E-UUF2B-T Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB161E-UUF2B-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB161E-UUF2B-T, AT45DB161E-UUF2B-T Datenblatt (Total Pages: 74, Größe: 2.532,43 KB)
PDFAT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Cover
AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 2 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 3 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 4 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 5 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 6 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 7 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 8 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 9 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 10 AT45DB161E-CCUF-T Datenblatt Seite 11

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AT45DB161E-UUF2B-T Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße16Mb (512 Bytes x 4096 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz85MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8µs, 4ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall11-UFBGA, WLCSP
Lieferantengerätepaket11-WLCSP (3.27x2.09)

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Speicherformat

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Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (8K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

512Mb (16M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

90-VFBGA

Lieferantengerätepaket

90-FBGA (8x13)

SM662GE8-ACS

Silicon Motion, Inc.

Hersteller

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

71V321L25J8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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