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AT45DB321E-CCUF-T

AT45DB321E-CCUF-T

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB321E-CCUF-T
PNEDA Teilenummer AT45DB321E-CCUF-T
Beschreibung IC FLASH 32M SPI 85MHZ 9UBGA
Hersteller Adesto Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AT45DB321E-CCUF-T Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB321E-CCUF-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB321E-CCUF-T, AT45DB321E-CCUF-T Datenblatt (Total Pages: 70, Größe: 2.489,09 KB)
PDFAT45DB321E-CCUF-T Datenblatt Cover
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AT45DB321E-CCUF-T Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße32Mb (528 Bytes x 8192 pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz85MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8µs, 4ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall9-UBGA
Lieferantengerätepaket9-UBGA (6x6)

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IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

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Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

256Kb (16K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Winbond Electronics

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Speichertyp

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Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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16-SOIC

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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