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AT45DB641E-MHN2B-T

AT45DB641E-MHN2B-T

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB641E-MHN2B-T
PNEDA Teilenummer AT45DB641E-MHN2B-T
Beschreibung IC FLASH 64M SPI 85MHZ 8UDFN
Hersteller Adesto Technologies
Stückpreis
1 ---------- $396,7441
50 ---------- $378,1467
100 ---------- $359,5493
200 ---------- $340,9519
400 ---------- $325,4541
500 ---------- $309,9563
Auf Lager 1.819
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AT45DB641E-MHN2B-T Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB641E-MHN2B-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB641E-MHN2B-T, AT45DB641E-MHN2B-T Datenblatt (Total Pages: 72, Größe: 2.740,84 KB)
PDFAT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Cover
AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 2 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 3 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 4 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 5 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 6 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 7 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 8 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 9 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 10 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 11

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AT45DB641E-MHN2B-T Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße64Mb (256 Bytes x 32K pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz85MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8µs, 5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-UDFN (5x6)

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70V24L15PFG

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

CY7C1460KV33-167AXCT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.4ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

Hersteller

Macronix

Serie

MX25xxx05/06

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

75MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 1ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.35V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

CY7C025AV-25AXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (8K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

MT29F128G08CECGBJ4-5M:G

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

128Gb (16G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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