Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

AUIRFS8407

AUIRFS8407

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRFS8407
PNEDA Teilenummer AUIRFS8407
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.910
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 4 - Mai 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AUIRFS8407 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRFS8407
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • AUIRFS8407 Datasheet
  • where to find AUIRFS8407
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies AUIRFS8407
  • AUIRFS8407 PDF Datasheet
  • AUIRFS8407 Stock

  • AUIRFS8407 Pinout
  • Datasheet AUIRFS8407
  • AUIRFS8407 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • AUIRFS8407 Price
  • AUIRFS8407 Distributor

AUIRFS8407 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.195A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs225nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7330pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)230W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

HUFA75823D3S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

85W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXTH21N50Q

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXTH)

Paket / Fall

TO-247-3

IPD50R380CEBTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 3.2A, 13V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 260µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

584pF @ 100V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

73W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPP60R190C6XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 630µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

151W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

APT60M75JVFR

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS V®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

62A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1050nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

19800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Kürzlich verkauft

SMBJ12A

SMBJ12A

TVS DIODE 12V 19.9V SMB

CM1230-02CP

CM1230-02CP

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 9.8V 4WLCSP

FN2070-36-08

FN2070-36-08

Schaffner EMC

LINE FILTER 110/250VAC 36A CHASS

ADV7123KSTZ140

ADV7123KSTZ140

Analog Devices

IC DAC 10BIT A-OUT 48LQFP

ADUM1401ARWZ

ADUM1401ARWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

LTST-C295KGKRKT

LTST-C295KGKRKT

Lite-On Inc.

LED GREEN/RED CLEAR CHIP SMD

SMBJ6V5A

SMBJ6V5A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

PIC18F2525-I/SO

PIC18F2525-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 28SOIC

H22A4

H22A4

ON Semiconductor

SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PC PIN

WSL0603R1000FEA18

WSL0603R1000FEA18

Vishay Dale

RES 0.1 OHM 1% 1/5W 0603

24LC32A-I/ST

24LC32A-I/ST

Microchip Technology

IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8TSSOP

DM74LS05N

DM74LS05N

ON Semiconductor

IC INVERTER 6CH 1-INP 14DIP