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AUIRS21814S

AUIRS21814S

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRS21814S
PNEDA Teilenummer AUIRS21814S
Beschreibung IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.766
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AUIRS21814S Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRS21814S
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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AUIRS21814S Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)1.9A, 2.3A
EingabetypInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)15ns, 15ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket14-SOIC

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

5V ~ 12V

Logikspannung - VIL, VIH

0.3V, 1.7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

6ns, 6ns

Betriebstemperatur

-20°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-VQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

16-QFN (4x4)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

60mA, 130mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

200ns, 100ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

LTC4446IMS8E#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

7.2V ~ 13.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1.85V, 3.25V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.5A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 5ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MSOP-EP

EL7156CSZ-T7A

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 16.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3.5A, 3.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

14.5ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ISL89165FBEAZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

1.22V, 2.08V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

6A, 6A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

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