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AUIRS2336STR

AUIRS2336STR

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRS2336STR
PNEDA Teilenummer AUIRS2336STR
Beschreibung IC GATE DRIVER HV 3PHASE 28SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.830
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AUIRS2336STR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRS2336STR
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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AUIRS2336STR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q100
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
Kanaltyp3-Phase
Anzahl der Treiber6
Gate-TypIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)200mA, 350mA
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)125ns, 50ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOIC

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

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Angetriebene Konfiguration

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Kanaltyp

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Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

1.22V, 2.08V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

6A, 6A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Richtek USA Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

0.7V, 3.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

15V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 12ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-WQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

24-WQFN (5x5)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

23ns, 25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-CDIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-CERDIP

IR2133STR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

90ns, 40ns

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOIC

IX2R11P7

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 35V

Logikspannung - VIL, VIH

6V, 9.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

500V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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