BAQ134-GS18
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| Teilenummer | BAQ134-GS18 |
| PNEDA Teilenummer | BAQ134-GS18 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 60V 200MA SOD80 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.562 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BAQ134-GS18 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BAQ134-GS18 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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BAQ134-GS18 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1nA @ 30V |
| Kapazität @ Vr, F. | 3pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOD-80 Variant |
| Lieferantengerätepaket | SOD-80 QuadroMELF |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 600mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 600mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 15ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 9pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall T-18, Axial Lieferantengerätepaket TS-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 6A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 75µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 375pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AA Lieferantengerätepaket DO-213AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 125°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 85A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 267A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 9mA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 180°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 40ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
