BAS16HT1G
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| Teilenummer | BAS16HT1G |
| PNEDA Teilenummer | BAS16HT1G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.703.146 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BAS16HT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BAS16HT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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BAS16HT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 6ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-76, SOD-323 |
| Lieferantengerätepaket | SOD-323 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 520pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
