BAS281-GS08
Nur als Referenz
| Teilenummer | BAS281-GS08 |
| PNEDA Teilenummer | BAS281-GS08 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD80 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 87.018 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BAS281-GS08 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BAS281-GS08 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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BAS281-GS08 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
| Current - Average Rectified (Io) | 30mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 200nA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | 1.6pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOD-80 Variant |
| Lieferantengerätepaket | SOD-80 QuadroMELF |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 125°C (Max) |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 560mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 350µA @ 45V Kapazität @ Vr, F. 300pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AD Lieferantengerätepaket MicroSMP (DO-219AD) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Semtech Corporation Serie - Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 1.25A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 100ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall SOD-57, Axial Lieferantengerätepaket SOD-57 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 15A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 8A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
