BC635ZL1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | BC635ZL1G |
| PNEDA Teilenummer | BC635ZL1G |
| Beschreibung | TRANS NPN 45V 1A TO-92 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.672 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BC635ZL1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BC635ZL1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BC635ZL1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 45V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Leistung - max | 625mW |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 180MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket UMT3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 25mA, 20V Leistung - max 830mW Frequenz - Übergang 60MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V Leistung - max 30W Frequenz - Übergang 3MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-225AA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 400nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 1V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 350MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-85 Lieferantengerätepaket UMT3F |
