Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BCR 149L3 E6327

BCR 149L3 E6327

Nur als Referenz

Teilenummer BCR 149L3 E6327
PNEDA Teilenummer BCR-149L3-E6327
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.546
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BCR 149L3 E6327 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBCR 149L3 E6327
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
BCR 149L3 E6327, BCR 149L3 E6327 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 203,72 KB)
PDFBCR 149T E6327 Datenblatt Cover
BCR 149T E6327 Datenblatt Seite 2 BCR 149T E6327 Datenblatt Seite 3 BCR 149T E6327 Datenblatt Seite 4 BCR 149T E6327 Datenblatt Seite 5 BCR 149T E6327 Datenblatt Seite 6 BCR 149T E6327 Datenblatt Seite 7 BCR 149T E6327 Datenblatt Seite 8 BCR 149T E6327 Datenblatt Seite 9 BCR 149T E6327 Datenblatt Seite 10 BCR 149T E6327 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BCR 149L3 E6327 Datasheet
  • where to find BCR 149L3 E6327
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies BCR 149L3 E6327
  • BCR 149L3 E6327 PDF Datasheet
  • BCR 149L3 E6327 Stock

  • BCR 149L3 E6327 Pinout
  • Datasheet BCR 149L3 E6327
  • BCR 149L3 E6327 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • BCR 149L3 E6327 Price
  • BCR 149L3 E6327 Distributor

BCR 149L3 E6327 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)47 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce120 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang150MHz
Leistung - max250mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-101, SOT-883
LieferantengerätepaketPG-TSLP-3-4

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

RN1108ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

CST3

UNR92AFG0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

100 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F3

PDTA143ZQAZ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

180MHz

Leistung - max

280mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-XDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DFN1010D-3

DTA115ECAT116

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

100 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

100 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SST3

BCR555E6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

330mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Kürzlich verkauft

APT2012SGC

APT2012SGC

Kingbright

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

TLP350H(F)

TLP350H(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

X36 PB-F PHOTOCOUPLER THRU HOLE

FM25V02A-DG

FM25V02A-DG

Cypress Semiconductor

IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR

MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64G MMC 100LBGA

NDS331N

NDS331N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3

W25Q64FVSSIG

W25Q64FVSSIG

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC

A6H-8101

A6H-8101

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

7443551131

7443551131

Wurth Electronics

FIXED IND 13UH 10A 11.2 MOHM SMD

74HC14DR2G

74HC14DR2G

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC

NC7WZ16P6X

NC7WZ16P6X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

ES1B-E3/61T

ES1B-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

045901.5UR

045901.5UR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 1.5A 125VAC/VDC SMD