BCR35PNE6433HTMA1
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| Teilenummer | BCR35PNE6433HTMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BCR35PNE6433HTMA1 |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.596 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 9 - Jun 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BCR35PNE6433HTMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BCR35PNE6433HTMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
| Datenblatt |
BCR35PNE6433HTMA1, BCR35PNE6433HTMA1 Datenblatt
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BCR35PNE6433HTMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 10kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Frequenz - Übergang | 150MHz |
| Leistung - max | 250mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT363-6 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 2.5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket US6 |
