BCX5116H6433XTMA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BCX5116H6433XTMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BCX5116H6433XTMA1 |
| Beschreibung | TRANSISTOR AF SOT89-4 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.946 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BCX5116H6433XTMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BCX5116H6433XTMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
BCX5116H6433XTMA1, BCX5116H6433XTMA1 Datenblatt
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BCX5116H6433XTMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 45V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Leistung - max | 2W |
| Frequenz - Übergang | 125MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-89-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/291 Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket UA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V Leistung - max 30W Frequenz - Übergang 3MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-126-3 |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max 60W Frequenz - Übergang 10MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 180MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket EMT3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 500mV Leistung - max 400mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket UB |
