BCX56H6359XTMA1
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| Teilenummer | BCX56H6359XTMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BCX56H6359XTMA1 |
| Beschreibung | TRANSISTOR NPN SOT89 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.526 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 21 - Jul 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BCX56H6359XTMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BCX56H6359XTMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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BCX56H6359XTMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Leistung - max | 2W |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT89 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/623 Transistortyp PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 120mA, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 6A, 3V Leistung - max 100W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Lieferantengerätepaket TO-254AA |
