BF998WR,115
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| Teilenummer | BF998WR,115 |
| PNEDA Teilenummer | BF998WR-115 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.304 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BF998WR Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BF998WR,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
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BF998WR Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | N-Channel Dual Gate |
| Frequenz | 200MHz |
| Gewinn | - |
| Spannungstest | 8V |
| Nennstrom (Ampere) | 30mA |
| Rauschzahl | 0.6dB |
| Stromtest | 10mA |
| Leistung - Leistung | - |
| Spannung - Nennspannung | 12V |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | CMPAK-4 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.81GHz Gewinn 18.2dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 800mA Leistung - Leistung 72W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall NI-780S Lieferantengerätepaket NI-780S |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 960MHz Gewinn 18.5dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) 1µA Rauschzahl - Stromtest 300mA Leistung - Leistung 45W Spannung - Nennspannung 80V Paket / Fall PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) Lieferantengerätepaket PowerSO-10RF (Formed Lead) |
Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual), Common Source Frequenz 2.14GHz Gewinn 17dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 110mA Leistung - Leistung 2W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall 16-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 16-HVSON (6x4) |
Hersteller Cree/Wolfspeed Serie GaN Transistortyp HEMT Frequenz 2.7GHz ~ 3.1GHz Gewinn 12dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 1A Leistung - Leistung 250W Spannung - Nennspannung 120V Paket / Fall 440201 Lieferantengerätepaket 440201 |
