BFP182WE6327HTSA1
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| Teilenummer | BFP182WE6327HTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFP182WE6327HTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.680 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFP182WE6327HTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFP182WE6327HTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFP182WE6327HTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Gewinn | 22dB |
| Leistung - max | 250mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT343-4 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 5dB @ 200MHz Gewinn 15dB Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn 15.5dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-143R Lieferantengerätepaket SOT-143R |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 65 @ 15mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 6.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz Gewinn 9dB Leistung - max 800mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket PCP |
Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.5dB Leistung - max 55W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6.5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
