BFP520H6327XTSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFP520H6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFP520H6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.140 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFP520H6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFP520H6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFP520H6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 3.5V |
| Frequenz - Übergang | 45GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.95dB @ 1.8GHz |
| Gewinn | 22.5dB |
| Leistung - max | 100mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 20mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT343-4 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 7.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz Gewinn 12.5dB ~ 13.5dB Leistung - max 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall MICRO-X1 Lieferantengerätepaket MICRO-X1 |
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