BFP620FH7764XTSA1
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| Teilenummer | BFP620FH7764XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFP620FH7764XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.352 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFP620FH7764XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFP620FH7764XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFP620FH7764XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 2.8V |
| Frequenz - Übergang | 65GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Gewinn | 21dB ~ 10dB |
| Leistung - max | 185mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 110 @ 50mA, 1.5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 4-TSFP |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10dB Leistung - max 87.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M105 Lieferantengerätepaket M105 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 22V Frequenz - Übergang 3.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.5dB ~ 9.5dB Leistung - max 5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55BT Lieferantengerätepaket 55BT |
